荷兰光刻机巨头ASML表示，现在在美国的技术封锁下，中企想获取EUV光刻机几乎不可能了，但是中国一直没有放弃，研发投入每年增速超过20%。 面对那道技术封锁的高墙，中国的芯片攻坚战早就不只是跟在别人后面跑，我们做的，不是按着美国和荷兰划好的路去追，而是要自己开出一条全新的路，把整个产业链一点点拿回手里。 中国没有把希望全压在复刻ASML那条EUV路线，那样太被动，也太受制约，于是，一个有层次、有节奏的“对冲布局” 启动了。 一边是稳扎稳打的传统路线，上海微电子的团队一直在死磕光学光刻机，他们生产的28纳米机型已经进入中芯国际等晶圆厂试产线，开始实打实地磨合。 更高端的机型也在调试中，在关键的光学指标上，比如镜头畸变控制，他们已经把误差压到2纳米以内，这个水平放到国际上也是非常高的。 另一边，是彻底改变游戏规则的新技术，ASML的EUV光源技术，靠高能激光轰击锡珠子产生极紫外光，技术复杂、专利密集。 哈尔滨工业大学的科研团队干脆不走这条路，他们选择用电极放电的方式把锡气化，也能得到13.5纳米波长的光源。 实验结果证明可行，他们还造出了原型机，这台设备运行稳定，处理晶圆的速度比ASML同类机型还快，而且结构更简单、成本更低，量产潜力巨大。 同时，还有一些团队在探索完全不同的路线，比如纳米压印技术，就是通过直接在晶圆表面形成电路图案来实现芯片制造。 中芯国际也在尝试把现有的DUV设备挖到极致，通过多次曝光的方式“磨”出7纳米芯片，这种硬干的方式虽然累，但证明了我们完全有能力在受限条件下继续前进。 但是要搞出一整套高端光刻机，靠一家企业是不可能的，这是一个系统工程，必须“政产学研”一起上。 现在，中科院半导体所不只是搞科研，他们还牵头联合江苏的几家企业，攻克了原本依赖进口的碳化硅外延设备。 更重要的是，他们建了公共测试平台，让高校和企业的研发成果能快速验证，从实验室到产业化的时间大大缩短。 这背后，是几十年埋头积累的结果，早在2003年，清华大学团队就开始研究双工件台技术，当时没人看好，但他们坚持了下来，研发出了“气磁浮”架构，避开了ASML的专利限制。 在这条产业链上，企业们各有分工，企业研发赚到的钱又回到研发中，形成了一个正向循环。 中国的底气，并不只是未来某天能造出EUV整机，而在于现在，我们正在逐步掌握核心环节。 过去我们受制于日本的双工件台材料——堇青石陶瓷，如今国内企业已经能完全自产，光刻胶领域的突破也很实在，国产产品已经可以支持14纳米工艺。 在最关键的核心部件上，进展也在加快，目前，中国光刻机关键部件的国产化率目标是60%，剩下的40%，并不是技术达不到，而是有意避开专利风险，采用了不同设计方案。 换句话说，我们不是在模仿别人，而是在构建一个全新的、自主可控的供应体系，这一步一旦彻底完成，中国的芯片产业将真正拥有独立的话语权。
