其实制造氮化镓雷达不仅需要“氮化镓射频芯片”，而且还需要“碳化硅衬底”。这是因为“氮化镓单晶难以直接制备”，所以需要“衬底”提供晶体结构模板，让GaN外延层在“衬底”上进行高质量的生长，所以“衬底”是制造“氮化镓射频芯片”不可替代的基材，直接决定了其氮化镓雷达的“探测距离、可靠性、生产成本”等核心性能指标。在以前雷达射频芯片主要都是使用“蓝宝石”或者“硅”作为“衬底”，但是这些材料都无法满足氮化镓雷达的需求，所以就开始使用更先进的“高纯半绝缘碳化硅”生产“高端的碳化硅衬底”。 不过以前生产“高纯半绝缘碳化硅”的技术一直都被欧美垄断，美国的科锐（Cree）、德国的SiCrystal和日本罗姆（ROHM）这三家公司曾一度垄断了全球超过80%的“高端碳化硅衬底”产能。也正因是靠着如此明显的垄断优势，欧美公司不仅给他们的“高端碳化硅衬底”设定了很高的出口价格，而且还禁止出口军用级别的“高端碳化硅衬底”，而咱们就是他们禁止出口的重点对象。 不过好在咱们山东大学的徐现刚团队突破了“高纯半绝缘碳化硅”的生产技术，帮助咱们实现了“高纯半绝缘碳化硅”的大规模生产。也正因此，咱们现在的雷达不仅可以大量使用“高端碳化硅衬底”，而且还可以通过出口“高端碳化硅衬底”赚外汇。 更牛的是，咱们现在生产的“高端碳化硅衬底”，无论是“缺陷控制”还是“电阻率”都已经超过了欧美生产的“高端碳化硅衬底”，甚至可以说是领先了欧美一代的技术水准。而这自然就为中国雷达遥遥领先全世界提供了强大底层支撑。