[微风]2024年底，阿斯麦CEO：中国光刻机技术落后10-15年，如果没有我们

[微风]2024年底，阿斯麦CEO：中国光刻机技术落后10-15年，如果没有我们的EUV极紫外刻帮助，中国几乎不能造出来3-5nm工艺，同时表示断供EUV，就是为了防止中国获得先进技术。 这番话之所以引发热议，不仅因为阿斯麦在EUV领域的绝对垄断地位，更因为它戳中了当前全球科技竞争的核心痛点，只是事情的发展似乎并没有完全朝着阿斯麦预期的方向推进。 作为全球唯一能大规模量产EUV光刻机的企业，阿斯麦的底气确实来自实打实的技术壁垒。一台EUV光刻机包含超过10万个零部件，需要全球5000多家供应商协同配合，德国蔡司的顶级光学镜头、美国Cymer的极紫外光源、瑞典SKF的精密轴承，每一个核心部件都代表着各自领域的技术巅峰，而阿斯麦的核心能力就是将这些分散的顶尖技术整合为系统级创新。 这种整合难度极大，比如EUV光源的功率需要稳定在250瓦以上，误差不能超过1%，工作台的移动精度更是要达到纳米级，相当于在高速行驶的汽车上用激光笔稳定击中远处靶心。 也正因为如此，每台EUV光刻机的售价超过1.5亿美元，2023年全球产能仅约60台，而且需要40个集装箱运输、3000名工程师现场调试，其稀缺性和技术复杂度可见一斑。 富凯强调的技术代差并非空穴来风，在7纳米及以下先进制程中，EUV光刻机的优势确实难以替代。 传统深紫外（DUV）光刻机需要通过多重曝光工艺才能实现精细电路图案转移，不仅生产效率低，还容易影响芯片良率，而EUV光刻机凭借13.5纳米的极紫外光波长，单次曝光就能完成图案转移，能将3纳米制程的晶体管密度提升40%以上，同时降低芯片功耗。 目前全球逻辑芯片巨头台积电、三星、英特尔等加速3纳米及以下制程量产，高端存储芯片和AI芯片的需求激增，都在推动EUV光刻机的需求爆发，阿斯麦甚至已计划将新厂区启用时间提前至2028年，新增2万个工作岗位以应对市场需求。 从行业现状来看，中国在EUV相关的核心部件、系统整合等方面确实存在差距，这也是富凯敢于放出“没EUV就造不出3-5nm工艺”的重要依据。 但阿斯麦的断供策略，似乎正在倒逼中国走出另一条技术路径。 2025年3月，中国科学院光电技术研究所公布了全固态DUV光源技术成果，这个创新方案绕开了阿斯麦的专利壁垒，用固态晶体取代传统DUV光刻机依赖的稀有气体作为光源，通过多次谐波转换和光学参数放大，成功输出193nm激光，光谱纯度等指标已接近商用水平，能满足3nm制程需求。 更关键的是，这种固态光源技术能让光刻机体积缩小30%到50%，能耗降低70%，生产成本和维护难度大幅下降，而且通过多重曝光技术，完全可以实现7nm甚至3nm芯片的制造，不用依赖EUV光刻机。虽然目前这项技术的功率和频率还不及商用标准，但迭代空间巨大，上海微电子设备公司已经开始适配测试，预计两年内就能进入工程验证阶段。 值得注意的是，阿斯麦的垄断地位并非无懈可击，其技术优势建立在全球产业链深度绑定的基础上，核心部件依赖多个国家供应，这也让它在地缘政治中难以完全自主。 事实上，阿斯麦前CEO温尼克早就在2023年提醒过，中国工程师有能力在压力下找到自己的路子，制裁可能适得其反推动自主创新。 如今看来，这个预言正在逐步应验，除了全固态DUV光源技术，中国在光刻胶、显影剂等配套材料领域也在加速突破，全球EUV光刻胶市场规模预计2031年将飙升至1195百万美元，中国企业正努力抢占这一赛道。 同时，中国占全球70%的成熟芯片产能，在DUV相关的中低端光刻机市场已经具备一定竞争力，随着技术不断迭代，未来有望向更高端市场渗透。 阿斯麦的断供本意是卡住技术瓶颈，却意外激发了中国的创新动力，这种科技竞争中的“倒逼效应”正在改写行业格局。富凯口中10-15年的技术代差确实存在，但技术追赶的速度往往超出预期，全固态DUV光源这样的突破性成果，已经让阿斯麦的垄断壁垒出现了裂缝。 现在行业内外都在关注，中国的固态光源技术能否顺利实现量产落地？阿斯麦的技术优势还能维持多久？ 如果中国成功突破3-5nm工艺的非EUV路径，全球半导体产业链会发生怎样的重构？欢迎在评论区留下你的看法，一起探讨这场科技竞争背后的技术博弈与产业变革。