上海光机所绕过二氧化碳激光,近期成功开发出 LPP - EUV 光源,波长仅13.5纳米,已经达到国际领先水平!光刻机的核心技术主要集中在极紫外光( EUV )、高精度光学系统和纳米级位移定位校准技术。波长13.5纳米的极紫外光,是制造5nm以下芯片的关键,也就是它能够在硅片上刻下更细的沟纹。
中芯国际CEO证实国内芯片厂正疯抢市场份额中芯国际联席CEO赵海军证实,国内
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上海光机所绕过二氧化碳激光,近期成功开发出 LPP - EUV 光源,波长仅13.5纳米,已经达到国际领先水平!光刻机的核心技术主要集中在极紫外光( EUV )、高精度光学系统和纳米级位移定位校准技术。波长13.5纳米的极紫外光,是制造5nm以下芯片的关键,也就是它能够在硅片上刻下更细的沟纹。
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