歼-20的碳化硅雷达探测距离1000公里应该是个假新闻确定无疑了！南华早报在6月28日报道称，最新出厂的歼-20换装山东大学研发的有源碳化硅雷达。雷达探测距离已经从原来400到600公里，直接提升到1000或1200公里。 有网友看到的第一反应就是假新闻，因为用屁股想想也知道，地球曲率的因素，大概在40千米外的目标就看不到了，就算飞机飞的高，比如飞机10千米高度时范围就大多了，在考虑地球曲率的条件下，可视半径大概360公里不到。 还是不到1000千米，那么问题来了，这飞机不是来看飞机的嘛，要是对方飞机也飞10千米高呢？这数据立马就到了710公里左右了，所以看1000公里外的目标并不是啥问题，只要对方飞得够高嘛。 当然还有一个可能，1000公里只是一个同等效应值，比如对0.1平方米的等效探测距离，如此强大功率下，隐形目标发现距离也会更远，比如300公里外就被发现了，原本可能要到200公里内才能发现，是不是这个道理？ 道理都是对的，完全没问题，但是有个问题，碳化硅材料真那么牛逼？ 答案还真是，这种材料的特性是这样的，SiC（碳化硅）的禁带宽度大，所以击穿电压高，支持大功率，所以碳化硅在IGBT方面应用非常广泛，请注意了，这是IGBT，用于大功率逆变与变频的中低频场合，比如变频器以及电动车电驱系统。 不过SiC也确实有用在相控阵雷达的T/R组件上的，由于SiC的导热率比GaN（氮化镓）要高得多，所以GaN on SiC的用法是比较常见的，也就是用SiC作为衬底，为GaN散热用。这确实是T/R组件，但这是作为外围组件为T/R组件发挥作用。 难道SiC就不能作为“真正”的T/R组件来使用了吗？因为SiC缺少Heterostructure（异质结构），无法形成2DEG（二维电子气），限制的SiC的频率，导致SiC只能用于较低频率的应用。这个原理比较复杂，简单的说就是SiC形成的不同材料界面做不到GaN那样的高密度电子层，限制了使用频率。 不过SiC可以用在中低频应用上，上文已经说了，在雷达应用上VHF和UHF频率的也有，有自媒体采信了E-2D上就使用了SiC的T/R组件，不过种花家查询并没有得到肯定的信息： “目前尚无公开明确消息说明AN/APY-9使用了碳化硅T/R模块，其T/R组件更可能仍以砷化镓（GaAs）为主（相比氮化镓/碳化硅而言技术更成熟、成本更低）。” “有迹象表明E-2D使用了SiC电源管理或功率放大相关模块，特别是在机载雷达和电子战系统电源子系统中，为了提高功率密度与散热效率。美国空军/海军相关项目曾提及为E-2D和F-35等平台研发高温宽带隙半导体（如SiC）电源组件” 所以到目前为止，SiC的T/R组件的机载雷达应该还没出现，歼-20用上SiC确实也是个假新闻，应该是南华早报的作者看到了这个新闻，然后联想到了这个应用，事实上应该是不符合逻辑的，歼-20的下一代雷达应该是氧化镓，那个功率更大。
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