半导体霸权争夺战：美日韩台技术围堵下，中国如何破局突围？

台积电创始人张仲谋在接受纽约时报采访时曾说过：美国、荷兰、日本、韩国以及台湾控制了半导体所有的瓶颈，如果我们想扼杀他们，中国真的无能为力！

张忠谋2023年8月接受纽约时报采访，直言半导体供应链被美国和盟友牢牢把控。

实际上张忠谋的论断并非空穴来风。美国在半导体设计工具和核心专利领域占据主导地位，全球 Top5 的 EDA（电子设计自动化）软件厂商中，美国企业占据三席，其开发的设计工具覆盖 90% 以上的高端芯片设计需求。

荷兰的 ASML 更是凭借极紫外光刻机（EUV）技术，垄断了 7 纳米以下先进制程设备市场，一台 EUV 光刻机售价超过 1.5 亿美元，且生产周期长达 21 个月。

而韩国三星和 SK 海力士则包揽全球 70% 的 DRAM 内存市场，其技术迭代速度领先行业平均水平 1-2 年。而台湾地区的台积电，作为全球最大晶圆代工厂，承担着苹果、英伟达等巨头 70% 以上的先进制程订单，3 纳米芯片良率已突破 90%。

这些环节环环相扣，形成了一张密不透风的技术网络。美国通过 “瓦森纳协定” 协调盟友对华技术出口限制，荷兰 ASML 在美方压力下多次推迟向中国交付 EUV 光刻机，日本则在 2022 年限制 6 类半导体材料对华出口。

这种 “技术联盟” 的威力在 2023 年显现：中国某晶圆厂因日本光刻胶断供，导致 12 英寸产线产能利用率下降 30%，最终不得不以高于市场价 40% 的价格从第三方渠道采购。

面对这种局面，中国并未坐以待毙。在设备领域，北方华创的 14 纳米刻蚀机已通过中芯国际验证，其关键部件国产化率从 2019 年的 30% 提升至 2023 年的 65%。

材料方面，南大光电的 ArF 光刻胶完成中试，上海新阳的 KrF 光刻胶进入客户测试阶段，尽管目前国产光刻胶市场份额不足 5%，但研发投入年均增长 40%。

更值得关注的是，中国正在构建 “非美供应链”。中芯国际 2023 年宣布，其 28 纳米成熟制程产线已实现 90% 设备国产化，包括中微公司的刻蚀机、盛美上海的清洗设备。

长江存储通过自主研发，将 192 层 3D NAND 闪存的良率提升至 95%，接近三星同期水平。

这种 “国产替代” 的加速度让美国倍感压力，2024 年美国商务部将 136 家中国半导体企业列入实体清单，试图进一步封锁技术路径。

这场没有硝烟的战争远未结束。当美国试图通过 “小院高墙” 遏制中国时，中国正以 “新型举国体制” 破局：大基金二期注资 2000 亿元支持设备研发，长三角半导体产业联盟整合 300 余家企业资源，清华大学设立集成电路学院每年输送千名专业人才。

正如人民日报所言，“任何打压都将成为中国科技自立自强的催化剂”。

或许正如 ASML 实验室里那台重达 180 吨的 EUV 光刻机所揭示的 —— 半导体产业的未来，终究属于那些敢于突破技术壁垒、重塑供应链格局的国家。