中芯国际将首次在马来西亚公开展示2nm GAA(Gate-All-Around)晶体管原型晶圆,外媒称这是中国产业链首次公开2nm细节。
现场资料显示,该原型采用国产衬底与多层纳米片堆叠,沟道宽度仅6nm,对比3nm FinFET,等效性能提升18%、功耗下降34%。
在会前夜,ASML紧急回应市场传闻,确认“已获荷兰政府许可,可向特定中国客户出口0.55NA EUV光刻机用于2nm研发,但未透露数量与交付时间。
中芯国际将首次在马来西亚公开展示2nm GAA(Gate-All-Around)晶体管原型晶圆,外媒称这是中国产业链首次公开2nm细节。
现场资料显示,该原型采用国产衬底与多层纳米片堆叠,沟道宽度仅6nm,对比3nm FinFET,等效性能提升18%、功耗下降34%。
在会前夜,ASML紧急回应市场传闻,确认“已获荷兰政府许可,可向特定中国客户出口0.55NA EUV光刻机用于2nm研发,但未透露数量与交付时间。
猜你喜欢
【8评论】【5点赞】
【169评论】【232点赞】
【159评论】【131点赞】
【6评论】【5点赞】
作者最新文章
热门分类
财经TOP
财经最新文章